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電化學(xué)表面合成強(qiáng)給電子石墨烯納米帶(GNR)

更新時間:2025-12-10

瀏覽次數(shù):218

引言

Hiroshi Sakaguchi 團(tuán)隊在《Nature Communications》(2024 年,影響因子 17.694,自然科學(xué)領(lǐng)域 TOP 期刊)發(fā)表研究,針對傳統(tǒng)超高真空(UHV)高溫表面合成石墨烯納米帶(GNR)存在的官能團(tuán)易分解、僅能單層生長等瓶頸,開發(fā)出電化學(xué)表面合成創(chuàng)新技術(shù),實現(xiàn)強(qiáng)給電子 GNR 的低溫多層制備,為 GNR 在催化、電子器件等領(lǐng)域的規(guī)模化應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。

 

摘要 Abstract

傳統(tǒng)超高真空(UHV)高溫表面合成石墨烯納米帶(GNR)面臨官能團(tuán)熱分解(300-500℃)、僅能單層生長的局限,制約其規(guī)模化應(yīng)用。本研究開發(fā)電化學(xué)表面合成技術(shù),利用液 - 固界面雙電層(EDL)中的氧化還原反應(yīng),以不對稱前驅(qū)體 2 - 丁氧基萘為原料,在 < 80℃低溫下實現(xiàn)異手性雙陽離子聚合與氧化脫氫,成功制備出含丁氧基取代基的扶手椅型 5-AGNR。該技術(shù)突破多層生長限制,所制備的 GNR 具有給電子性能(氧化電位低于 TTF),其硅刻蝕催化速率(2.0μm?h?1)優(yōu)于金等貴金屬,且展現(xiàn)優(yōu)異光電導(dǎo)性能(ON/OFF 1.68)。該方案為功能化 GNR 的規(guī)模化制備與多場景應(yīng)用提供了新路徑。

 

實驗方法

電化學(xué)表面合成

在手套箱中制備樣品溶液:將 5 毫摩爾(mM2 - 丁氧基萘與 100 毫摩爾(mM)四丁基六氟磷酸銨溶于鄰二氯苯(o-DCB)中。工作電極選用尺寸為 0.5×1.0 平方厘米的金(111)、碘修飾金(111)及氧化銦錫(ITO)電極;對電極與參比電極分別采用鉑絲和銀絲。將樣品池置于加熱板上,加熱至 80℃并持續(xù)攪拌,通過配備 NF 公司 Wave Factory WF1974 型函數(shù)發(fā)生器的堀場電化學(xué)系統(tǒng)(Huso Electro Chemical SystemHECS 990 C 型電位儀施加電壓脈沖。

電吸收測量

在電吸收電池中,氧化銦錫(ITO)電極間夾有一片 250 微米厚的塑料墊片(補(bǔ)充圖 12)。為開展電吸收光譜測試,向電池中注入 50 微升樣品溶液,采用 Lambda Vision LVmicro SUV-100S-NIR型光學(xué)吸收光譜儀完成測試(圖 3ac,補(bǔ)充圖 1314)。測定電位依賴性電吸收時,施加 0.5 伏至 3 伏的不同電壓,每個電壓條件維持 15 秒(補(bǔ)充圖 13);測定電吸收時間曲線時,施加 2.5 伏電壓持續(xù) 25 秒(補(bǔ)充圖 14),從測試開始記錄至 55 秒。

 

 

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結(jié)論

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成功開發(fā)電化學(xué)表面合成技術(shù),通過雙電層介導(dǎo)的異手性雙陽離子聚合,實現(xiàn)了強(qiáng)給電子 GNR 的低溫(<80℃)多層制備,解決了傳統(tǒng) UHV 高溫合成的官能團(tuán)分解與單層生長瓶頸。所制備的 GNR 在硅刻蝕催化(速率優(yōu)于貴金屬金)與光電導(dǎo)領(lǐng)域表現(xiàn)出優(yōu)異性能,為功能化 GNR 的規(guī)模化生產(chǎn)及在半導(dǎo)體光刻、光電子器件等領(lǐng)域的應(yīng)用提供了創(chuàng)新方案,有望推動 GNR 材料的實用化進(jìn)程。


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